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元智大學電機工程學系丙組公告事項

Announcement from the Department of Electrical Engineering (Program C), Yuan Ze University

◆ 講 者：洪瑞華教授

(陽明交通大學電子研究所)

◆ 講 題：第四代半導體(Ga₂O₃)技術原理，優勢與產業前景相關議題

◆ 時 間：112年3月22（三）18：30 - 20：20

◆ 地 點：70108教室

◆ 經歷：

• 現任國立陽明交通大學電子研究所講座教授
• 2018~2021國立交通大學電子工程系特聘教授兼系主任
• 1998~2016國立中興大學精密工程研究所教授
• 2012~2016國立中興大學創新產業推廣學院院長
• 2021年獲頒「光電工程獎」，為40年來首位女性得主
• 2022年獲頒「中工會會士」，為首位女性會士
• 榮獲兩次國科會傑出獎

◆ 研究專長：光電元件、功率電晶體、磊晶膜轉移技術、晶圓接合技術、新世代太陽能電池、寬能隙半導體磊晶與元件設計

◆ 大 綱：

儘管以Si基板為主的元件已經主導目前科技產業之IC與相關之電子元件，此類產品仍存在與面臨許多極限，無論在高功率或是高頻元件與系統，除了不斷精進結構設計外，新興材料亦推陳出新。特別是第三代半導體以SiC與GaN為主之高功率元件與系統，在大電力與高頻元件上被賦予重任，其相關之應用已陸續應用在相關之產業。儘管如此，被視為第四代之超寬能隙氧化鎵(Ga₂O₃)和鑽石等新一代材料，特別是Ga₂O₃因為其基板製作相較於SiC與GaN製作容易，又因為其超寬能隙的特性，使材料所能承受更高電壓的崩潰電壓和臨界電場， 其在超高功率元件之應用潛力不容小覷。本次演講內容將針對第四代半導體Ga203技術原理,優勢與產業前景相關議題進行說明與研究分享。

～歡迎蒞臨聽講～